《半导体科学与技术丛书》出版说明 序言 第1章 绪论 参考文献 第2章 Ⅲ族氮化物半导体材料的性质 2.1 Ⅲ族氮化物的晶体结构和能带结构 2.1.1 GaN、AlN和InN 2.1.2 氮化物合金材料的晶格常数和禁带宽度 2.1.3 异质结界面的能带带阶 2.2 氮化物的电子速场关系和低场迁移率 2.2.1 GaN的电子速场关系 2.2.2 GaN和AlGaN的电子低场迁移率和速场关系解析模型 2.3 氮化物材料的极化效应 2.3.1 极性 2.3.2 自发极化和压电极化效应 2.3.3 氮化物合金材料的压电和自发极化强度 2.3.4 削弱极化效应的机制 2.3.5 极性材料和非极性／半极性材料 2.4 氮化物电子材料的掺杂和其他性质 2.5 氮化物材料性质测试分析 2.5.1 高分辨X射线衍射（HRXRD） 2.5.2 原子力显微镜（AFM） 2.5.3 扫描电子显微镜（SEM） 2.5.4 透射电子显微镜（TEM） 2.5.5 光致发光谱（PL谱） 2.5.6 电容－电压测试（C－V） 2.5.7 范德堡法霍尔测试 2.5.8 霍尔条测试SdH振荡分析二维电子气输运性质 参考文献 第3章 氮化物材料的异质外延生长和缺陷性质 3.1 氮化物材料的外延生长技术 3.2 外延生长基本模式和外延衬底的选择 3.2.1 外延生长的基本模式 3.2.2 外延衬底的选择 3.3 MOCVD生长氮化物材料的两步生长法 3.3.1 两步生长法的步骤 3.3.2 蓝宝石上两步法生长GaN的生长模式演化 3.4 氮化物材料外延的成核层优化 3.4.1 低温GaN成核层 3.4.2 高温AlN成核层 3.4.3 间歇供氨生长的高温AlN成核层 3.5 氮化物材料外延层生长条件对材料质量的影响 3.6 氮化物单晶薄膜材料的缺陷微结构 3.6.1 衬底与成核层界面的微结构——失配位错 3.6.2 成核层内的微结构——堆垛层错、局部立方相和反向边界 3.6.3 高温GaN层的微结构——小角晶界、穿透位错和点缺陷 3.6.4 裂纹和沉淀物
| 出版社 | 科学出版社 |
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| 作者 | 郝跃 |