编辑推荐
《集成电路三维系统集成与封装工艺(中文导读)(汉、英)》适合从事电子、光电子、MEMS等器件三维集成研究的工程师、技术研发人员、技术管理人员和科研人员阅读，也可以作为相关专业高年级本科生和研究生的教材。
作者简介
作者:（美）John H.Lau著；曹立强等导读
目录
前言
致谢
导读
第1章 半导体集成电路封装3D集成
1.1 引言
1.23D集成
1.33D IC封装
1.43D Si集成
1.53D IC集成
1.5.1 混合存储器立方（HMC）
1.5.2 Wide I／O动态随机存储器和Wide I／O2
1.5.3 高带宽存储器（HBM）
1.5.4 Wide I／O存储器（Logic—on—Logic）
1.5.5 无源转接板（2.5D IC集成）
1.6 TSV技术时代供应链
1.6.1 前道工艺（Front—End—of—Line）
1.6.2 后道工艺（Back—End—of—Line）
1.6.3 封装与测试（Outsourced Semiconductor Assembly and Test）
1.7 TSV技术时代供应链——谁制造TSV？
1.7.1 Via—First TSV工艺
1.7.2 Via—Middle TSV工艺
1.7.3 Via—Last TSV工艺（from the front Side）
1.7.4 Via—Last TSV工艺（from the Back Side）
1.7.5 无源TSV转接板？
1.7.6 谁想用无源转接板TSV技术？
1.7.7 总结和建议
1.8 TSV技术时代供应链一谁负责中道工艺MEOL，装配和测试？
1.8.1 Wide I／O存储器（面对背）的Via—Middle TSV制造工艺
1.8.2 Wide I／O存储器（面对面）的Via—Middle TSV制造工艺
1.8.3 Wide I／O DRAM的Via—Middle TSV制造工艺
1.8.4 基于带有TSV／RDL转接板的2.5D IC集成
1.8.5 总结与建议
1.9 CMOS图像传感器与TSVs
1.9.1 东芝Dynastron图像传感器
1.9.2 意法半导体的VGA CIS摄像头模块
1.9.3 三星S5K4E5YX BSI CIS图像传感器
1.9.4 东芝HEW4 BSI TCM5103PL图像传感器
1.9.5 Nemotek CIS图像传感器
1.9.6 索尼ISX014堆叠相机传感器
1.10 使用TSV技术的微机电系统
1.10.1 意法半导体的MEMS惯性传感器
1.10.2 Discera的MEME振荡器
1.10.3 Avago的FBAR MEMS滤波器
1.11 参考文献
第2章 硅通孔的建模和测试
2.1 引言
2.2 TSV的电气模型
2.2.1 通用TSV结构的解析模型和方程
2.2.2 TSV模型的频域验证
2.2.3 TSV模型的时域验证
2.2.4 TSV的电气设计指南
2.2.5 总结与建议
2.3 TSV的热模拟
2.3.1 铜填充TSV等效热电导率法
2.3.2 单个TSV的热特性
2.3.3 铜填充TSV的等效热导率方程
2.3.4 等效TSV热电导率方程验证
2.3.5 总结与建议
2.4 TSV机械建模和测试技术
2.4.1 铜填充TSV和周围硅的透射电镜
2.4.2 TSV制造的Pumping实验结果
2.4.3 热冲击下铜Pumping
2.4.4 铜填充TSV的Keep—Out—Zone区
2.4.5 总结与建议
2.5 参考文献
第3章 应力传感器用于薄晶圆拿持和应力测量
3.1 引言
3.2 压阻式压力传感器的设计与制作
3.2.1 压阻式压力传感器的设计
3.2.2 压力传感器的制作
3.2.3 总结与建议
3.3 应力传感器在薄晶圆拿持中的应用
3.3.1 压阻式压力传感器的设计、制造及校准
3.3.2 晶圆减薄后的应力测量
3.3.3 总结与建议
3.4 应力传感器在晶圆凸块制造中的应用
3.4.1 UBM制作的应力
3.4.2 干膜处理后的应力”
3.4.3 焊料凸点工艺后的应力
3.4.4 总结与建议
3.5 应力传感器在嵌入式超薄芯片的跌落试验中的应用
3.5.1 Test Vehicle与制造
3.5.2 实验装置及流程
3.5.3 原位应力测量结果
3.5.4 可靠性测试
3.5.5 总结与建议
3.6 参考文献
第4章 封装基板技术
4.1 引言
4.2 三维集成电路倒装芯片积层法封装基板
4.2.1 表面层压电路技术
4.2.2 积层法封装基板发展趋势
4.2.3 总结与建议
4.3 无芯封装基板
4.3.1 无芯封装基板的优缺点
4.3.2 采用无芯基板的替代硅转接板
4.3.3 无芯基板翘曲问题和解决方案
4.3.4 总结与建议
4.4 积层法封装基板的最新进展
4.4.1 薄膜层上建立封装基板层
4.4.2 翘曲和可靠性结果
4.4.3 总结与建议
4.5 参考文献
第5章 微凸点制造、装配和可靠性
5.1 引言
5.2 制造、装配和25μm间距凸点的可靠性
5.2.1 Test Vehicle
5.2.2 微凸点结构
5.2.3 ENIG焊盘的结构
5.2.425μm—pitch间距微凸点制造
5.2.5 硅基板上ENIG焊盘的制作
5.2.6 热压键合组装
5.2.7 底部填充的评估
5.2.8 可靠性评估
5.2.9 总结与建议
5.3 制造、装配和20μm间距微凸点可靠性
5.3.1 Test Vehicle
5.3.2 Test Vehicle的装配
5.3.3 热压键合微连接的形成
5.3.4 缝隙填充
5.3.5 可靠性试验
5.3.6 可靠性试验结果与讨论
5.3.7 微连接失效机理
5.3.8 总结与建议
5.4 制造、装配，以及15μm间距凸点的可靠性
5.4.1 微凸块和试验车辆的UBM垫
5.4.2 组装
5.4.3 CuSn凸点与ENIG焊盘组装
5.4.4 CuSn凸点和CuSn凸点组装
5.4.5 底部填充评估
5.4.6 总结与建议
5.5 参考文献
第6章 三维硅集成
6.1 引言
6.2 电子工业
6.3 摩尔定律和和超过摩尔定律
6.4 三维集成的原点
6.5 三维集成的概况与展望
6.5.1 硅三维集成键合方法
6.5.2 铜—铜（晶圆—晶圆）键合
6.5.3 铜—铜（晶圆—晶圆）后退火键合
6.5.4 铜—铜（晶圆—晶圆）常温键合
6.5.5 二氧化硅—二氧化硅（晶圆—晶圆）键合
6.5.6 晶圆—晶圆键合的几个注释
6.63D硅集成技术挑战
6.7 三维硅集成EDA工具挑战
6.8 总结和建议
6.9 参考文献
……
第7章 2.5D／3D IC集成
第8章 基于转接板的3D IC集成
第9章 2.5D／3D IC集成的热管理
第10章 嵌入式三维混合集成
第11章 LED和集成电路三维集成
第12章 MEMS与集成电路的三维集成
第13章 CMOS图像传感器和IC三维集成
第14章 3D IC封装
索引
文摘
版权页：
插图：
《集成电路三维系统集成与封装工艺(中文导读)(汉、英)》适合从事电子、光电子、MEMS等器件三维集成研究的工程师、技术研发人员、技术管理人员和科研人员阅读，也可以作为相关专业高年级本科生和研究生的教材。
作者简介
作者:（美）John H.Lau著；曹立强等导读
目录
前言
致谢
导读
第1章 半导体集成电路封装3D集成
1.1 引言
1.23D集成
1.33D IC封装
1.43D Si集成
1.53D IC集成
1.5.1 混合存储器立方（HMC）
1.5.2 Wide I／O动态随机存储器和Wide I／O2
1.5.3 高带宽存储器（HBM）
1.5.4 Wide I／O存储器（Logic—on—Logic）
1.5.5 无源转接板（2.5D IC集成）
1.6 TSV技术时代供应链
1.6.1 前道工艺（Front—End—of—Line）
1.6.2 后道工艺（Back—End—of—Line）
1.6.3 封装与测试（Outsourced Semiconductor Assembly and Test）
1.7 TSV技术时代供应链——谁制造TSV？
1.7.1 Via—First TSV工艺
1.7.2 Via—Middle TSV工艺
1.7.3 Via—Last TSV工艺（from the front Side）
1.7.4 Via—Last TSV工艺（from the Back Side）
1.7.5 无源TSV转接板？
1.7.6 谁想用无源转接板TSV技术？
1.7.7 总结和建议
1.8 TSV技术时代供应链一谁负责中道工艺MEOL，装配和测试？
1.8.1 Wide I／O存储器（面对背）的Via—Middle TSV制造工艺
1.8.2 Wide I／O存储器（面对面）的Via—Middle TSV制造工艺
1.8.3 Wide I／O DRAM的Via—Middle TSV制造工艺
1.8.4 基于带有TSV／RDL转接板的2.5D IC集成
1.8.5 总结与建议
1.9 CMOS图像传感器与TSVs
1.9.1 东芝Dynastron图像传感器
1.9.2 意法半导体的VGA CIS摄像头模块
1.9.3 三星S5K4E5YX BSI CIS图像传感器
1.9.4 东芝HEW4 BSI TCM5103PL图像传感器
1.9.5 Nemotek CIS图像传感器
1.9.6 索尼ISX014堆叠相机传感器
1.10 使用TSV技术的微机电系统
1.10.1 意法半导体的MEMS惯性传感器
1.10.2 Discera的MEME振荡器
1.10.3 Avago的FBAR MEMS滤波器
1.11 参考文献
第2章 硅通孔的建模和测试
2.1 引言
2.2 TSV的电气模型
2.2.1 通用TSV结构的解析模型和方程
2.2.2 TSV模型的频域验证
2.2.3 TSV模型的时域验证
2.2.4 TSV的电气设计指南
2.2.5 总结与建议
2.3 TSV的热模拟
2.3.1 铜填充TSV等效热电导率法
2.3.2 单个TSV的热特性
2.3.3 铜填充TSV的等效热导率方程
2.3.4 等效TSV热电导率方程验证
2.3.5 总结与建议
2.4 TSV机械建模和测试技术
2.4.1 铜填充TSV和周围硅的透射电镜
2.4.2 TSV制造的Pumping实验结果
2.4.3 热冲击下铜Pumping
2.4.4 铜填充TSV的Keep—Out—Zone区
2.4.5 总结与建议
2.5 参考文献
第3章 应力传感器用于薄晶圆拿持和应力测量
3.1 引言
3.2 压阻式压力传感器的设计与制作
3.2.1 压阻式压力传感器的设计
3.2.2 压力传感器的制作
3.2.3 总结与建议
3.3 应力传感器在薄晶圆拿持中的应用
3.3.1 压阻式压力传感器的设计、制造及校准
3.3.2 晶圆减薄后的应力测量
3.3.3 总结与建议
3.4 应力传感器在晶圆凸块制造中的应用
3.4.1 UBM制作的应力
3.4.2 干膜处理后的应力”
3.4.3 焊料凸点工艺后的应力
3.4.4 总结与建议
3.5 应力传感器在嵌入式超薄芯片的跌落试验中的应用
3.5.1 Test Vehicle与制造
3.5.2 实验装置及流程
3.5.3 原位应力测量结果
3.5.4 可靠性测试
3.5.5 总结与建议
3.6 参考文献
第4章 封装基板技术
4.1 引言
4.2 三维集成电路倒装芯片积层法封装基板
4.2.1 表面层压电路技术
4.2.2 积层法封装基板发展趋势
4.2.3 总结与建议
4.3 无芯封装基板
4.3.1 无芯封装基板的优缺点
4.3.2 采用无芯基板的替代硅转接板
4.3.3 无芯基板翘曲问题和解决方案
4.3.4 总结与建议
4.4 积层法封装基板的最新进展
4.4.1 薄膜层上建立封装基板层
4.4.2 翘曲和可靠性结果
4.4.3 总结与建议
4.5 参考文献
第5章 微凸点制造、装配和可靠性
5.1 引言
5.2 制造、装配和25μm间距凸点的可靠性
5.2.1 Test Vehicle
5.2.2 微凸点结构
5.2.3 ENIG焊盘的结构
5.2.425μm—pitch间距微凸点制造
5.2.5 硅基板上ENIG焊盘的制作
5.2.6 热压键合组装
5.2.7 底部填充的评估
5.2.8 可靠性评估
5.2.9 总结与建议
5.3 制造、装配和20μm间距微凸点可靠性
5.3.1 Test Vehicle
5.3.2 Test Vehicle的装配
5.3.3 热压键合微连接的形成
5.3.4 缝隙填充
5.3.5 可靠性试验
5.3.6 可靠性试验结果与讨论
5.3.7 微连接失效机理
5.3.8 总结与建议
5.4 制造、装配，以及15μm间距凸点的可靠性
5.4.1 微凸块和试验车辆的UBM垫
5.4.2 组装
5.4.3 CuSn凸点与ENIG焊盘组装
5.4.4 CuSn凸点和CuSn凸点组装
5.4.5 底部填充评估
5.4.6 总结与建议
5.5 参考文献
第6章 三维硅集成
6.1 引言
6.2 电子工业
6.3 摩尔定律和和超过摩尔定律
6.4 三维集成的原点
6.5 三维集成的概况与展望
6.5.1 硅三维集成键合方法
6.5.2 铜—铜（晶圆—晶圆）键合
6.5.3 铜—铜（晶圆—晶圆）后退火键合
6.5.4 铜—铜（晶圆—晶圆）常温键合
6.5.5 二氧化硅—二氧化硅（晶圆—晶圆）键合
6.5.6 晶圆—晶圆键合的几个注释
6.63D硅集成技术挑战
6.7 三维硅集成EDA工具挑战
6.8 总结和建议
6.9 参考文献
……
第7章 2.5D／3D IC集成
第8章 基于转接板的3D IC集成
第9章 2.5D／3D IC集成的热管理
第10章 嵌入式三维混合集成
第11章 LED和集成电路三维集成
第12章 MEMS与集成电路的三维集成
第13章 CMOS图像传感器和IC三维集成
第14章 3D IC封装
索引
文摘
版权页：
插图：
| ISBN | 9787030522726 |
|---|---|
| 出版社 | 科学出版社 |
| 作者 | 刘汉诚 (John H.Lau) |
| 尺寸 | 5 |