编辑推荐
本书可作为微电子与固体电子、材料科学与工程、半导体、光电子等专业的基础课教材，也可供冶金、物理、化学、化工等相关学科的大学生、研究生、教师及工程技术人员参考使用。本书封面贴有清华大学出版社防伪标签，无标签者不得销售。
作者简介
李言荣，1962年7月生于四川省射洪县，1992年博士毕业于中科院长春应化所。现为电子科技大学教授、博士生导师，电子薄膜与集成器件国家重点实验室主任，曾入选长江学者特聘教授和国家杰出青年基金获得者，973项目技术首席专家。长期从事电子材料与元器件的研究，主要包括超导薄膜、铁电薄膜、热释电薄膜、半导体集成薄膜及器件应用等，发表重要刊物论文200余篇，获国家技术发明二等奖2项，以及省部级奖8项。2011年当选为中国工程院院士。
目录
第1章电子材料概论
1.1电子材料的分类与特点
1.1.1电子材料在国民经济中的地位
1.1.2电子材料的分类
1.1.3电子材料的环境要求
1.1.4电子材料与元器件
1.2无机电子材料
1.2.1晶体的特征
1.2.2同构晶体和多晶型转变
1.2.3固溶体
1.2.4金属间化合物
1.3实际晶体、非晶体和准晶
1.3.1实际晶体
1.3.2非晶态材料
1.3.3准晶体简介
1.4电子材料的表面与界面
1.4.1表面的定义和种类
1.4.2清洁表面的原子排布
1.4.3实际表面的特征
1.4.4晶粒间界
1.4.5相界和分界面
1.5电子材料的应用与发展
1.5.1现代社会对电子材料的要求
1.5.2电子材料的选用原则
1.5.3纳米材料
1.5.4复合材料与梯度功能材料
1.5.5超常材料
1.5.6电子材料的发展动态
复习思考题
第2章电子材料的分析和表征
2.1电子材料化学成分分析方法
2.2电子材料结构分析方法——X射线衍射分析法
2.3电子材料的显微分析法
2.4电子材料表面界面分析技术
2.5扫描探针技术
2.6光谱分析技术
2.7热分析技术
复习思考题
第3章薄膜工艺
3.1真空技术概述
3.1.1真空
3.1.2真空的获得
3.1.3真空的测量
3.2真空蒸发镀膜工艺
3.2.1真空蒸发原理
3.2.2热蒸发
3.2.3脉冲激光蒸发
3.2.4分子束外延
3.2.5其他蒸发镀膜方法简介
3.3溅射镀膜工艺
3.3.1直流二极溅射及其原理
3.3.2射频溅射
3.3.3磁控溅射
3.3.4反应溅射
3.3.5离子束沉积
3.3.6溅射沉积技术的特点
3.4化学气相沉积工艺
3.4.1化学气相沉积过程
3.4.2热CVD
3.4.3等离子体CVD
3.4.4光CVD
3.4.5有机金属CVD（MOCVD）
3.4.6表面氧化工艺
复习思考题
第4章厚膜工艺
4.1厚膜浆料
4.1.1厚膜浆料的特性和制备
4.1.2导体浆料
4.1.3电阻浆料
4.1.4介质浆料
4.1.5电感及铁氧体磁性浆料
4.2厚膜图案形成技术
4.2.1丝网印刷
4.2.2其他图案形成技术
4.3厚膜的干燥和烧成
4.3.1干燥
4.3.2烧成
复习思考题
参考文献
第5章陶瓷工艺
5.1概述
5.2粉体的表征
5.3粉体的混合与粉碎
5.4粉体的化学制备
5.5成型技术
5.5.1粘合剂
5.5.2造粒
5.5.3成型方法及工艺
5.6烧结原理和种类
5.6.1烧结过程
5.6.2烧结中的有关现象
5.6.3烧结过程控制
5.6.4烧结种类
复习思考题
参考文献
第6章导电材料和电阻材料
6.1导电材料的性质与分类
6.2金属导电材料
6.2.1金属导电材料的标准
6.2.2铜
6.2.3铜合金
6.2.4铝
6.3电极及电刷材料
6.3.1电容器电极材料
6.3.2引出线
6.3.3电刷与弹性材料
6.4厚膜导电材料
6.4.1厚膜导电材料的要求
6.4.2贵金属厚膜导电材料
6.4.3贱金属厚膜导电材料
6.4.4导电胶
6.5薄膜导电材料
6.5.1铝薄膜
6.5.2铬—金薄膜和镍铬—金薄膜
6.5.3钛—金薄膜
6.5.4多层导电薄膜
6.5.5透明导电薄膜
6.6电阻材料概述
6.6.1电阻材料的主要性能
6.6.2电阻材料的分类
6.7线绕电阻材料
6.7.1贱金属电阻合金线
6.7.2贵金属电阻合金线
6.8厚膜电阻材料
6.9薄膜电阻材料
6.10精密金属膜电阻材料
6.10.1镍铬合金系电阻薄膜
6.10.2铬—硅电阻薄膜
6.10.3钽基电阻薄膜
6.10.4金属—陶瓷电阻薄膜
复习思考题
参考文献
……
第7章超导材料
第8章半导体材料
第9章电介质材料
第10章磁性材料
第11章光电材料与热电材料
第12章敏感材料与吸波材料
第13章电子封装材料
文摘
版权页：
插图：
2.影响烧成的参数
厚膜元件的烧成包括升温、最高温度下保温、降温三个阶段，因此影响烧成的主要参数有最高烧结温度、保温时间、升降温度速率、烧结气氛和烧结次数等。
1）最高烧成温度
最高烧结温度对厚膜元件和结构的影响最大，这个温度的选择要保证厚膜能够完成应有的物理、化学变化，反应既要充分，又不能产生有害的作用，从而使厚膜元件的性能达到很好。最高烧结温度一般高于玻璃软化点100℃左右，以使玻璃料熔融后充分浸润固体颗粒，起到良好的粘结作用。
最高烧结温度过低，通常称为“生烧”。此时导电网络形成不良，方阻相当高，膜层结构不稳定，性能低劣。最高烧结温度过高，称为“过烧”。此时晶粒大小悬殊，膜层结构极不均匀，同时氧化物可能分解放出气体，使膜层凹凸不平。
2）保温时间
在最高烧结温度下恒温对膜层进行烧结的时间称为保温时间。保温时间的确定要保证使反应充分进行、膜层结构稳定、晶粒大小均匀等。对于含有玻璃料的厚膜，保温时间不宜过长，以免引起浆料中的玻璃相“上浮”到厚膜表面，从而降低膜层的可焊性和附着力。
3）升降温速率
升温速率主要影响预热阶段和玻璃软化前的各种反应。速率太快，膜中容易产生气孔，有机物也不能充分除去，影响烧结反应和元件性能的重现性，但升温速率太慢会影响生产周期。降温速率也不宜太快，否则会因应力而影响元件的稳定性。
4）烧结气氛
在烧结过程中，氧化物的生成或还原、通过气相的物质迁移和表面扩散等，都与烧结气氛有关，会对厚膜元件的性能产生影响。
本书可作为微电子与固体电子、材料科学与工程、半导体、光电子等专业的基础课教材，也可供冶金、物理、化学、化工等相关学科的大学生、研究生、教师及工程技术人员参考使用。本书封面贴有清华大学出版社防伪标签，无标签者不得销售。
作者简介
李言荣，1962年7月生于四川省射洪县，1992年博士毕业于中科院长春应化所。现为电子科技大学教授、博士生导师，电子薄膜与集成器件国家重点实验室主任，曾入选长江学者特聘教授和国家杰出青年基金获得者，973项目技术首席专家。长期从事电子材料与元器件的研究，主要包括超导薄膜、铁电薄膜、热释电薄膜、半导体集成薄膜及器件应用等，发表重要刊物论文200余篇，获国家技术发明二等奖2项，以及省部级奖8项。2011年当选为中国工程院院士。
目录
第1章电子材料概论
1.1电子材料的分类与特点
1.1.1电子材料在国民经济中的地位
1.1.2电子材料的分类
1.1.3电子材料的环境要求
1.1.4电子材料与元器件
1.2无机电子材料
1.2.1晶体的特征
1.2.2同构晶体和多晶型转变
1.2.3固溶体
1.2.4金属间化合物
1.3实际晶体、非晶体和准晶
1.3.1实际晶体
1.3.2非晶态材料
1.3.3准晶体简介
1.4电子材料的表面与界面
1.4.1表面的定义和种类
1.4.2清洁表面的原子排布
1.4.3实际表面的特征
1.4.4晶粒间界
1.4.5相界和分界面
1.5电子材料的应用与发展
1.5.1现代社会对电子材料的要求
1.5.2电子材料的选用原则
1.5.3纳米材料
1.5.4复合材料与梯度功能材料
1.5.5超常材料
1.5.6电子材料的发展动态
复习思考题
第2章电子材料的分析和表征
2.1电子材料化学成分分析方法
2.2电子材料结构分析方法——X射线衍射分析法
2.3电子材料的显微分析法
2.4电子材料表面界面分析技术
2.5扫描探针技术
2.6光谱分析技术
2.7热分析技术
复习思考题
第3章薄膜工艺
3.1真空技术概述
3.1.1真空
3.1.2真空的获得
3.1.3真空的测量
3.2真空蒸发镀膜工艺
3.2.1真空蒸发原理
3.2.2热蒸发
3.2.3脉冲激光蒸发
3.2.4分子束外延
3.2.5其他蒸发镀膜方法简介
3.3溅射镀膜工艺
3.3.1直流二极溅射及其原理
3.3.2射频溅射
3.3.3磁控溅射
3.3.4反应溅射
3.3.5离子束沉积
3.3.6溅射沉积技术的特点
3.4化学气相沉积工艺
3.4.1化学气相沉积过程
3.4.2热CVD
3.4.3等离子体CVD
3.4.4光CVD
3.4.5有机金属CVD（MOCVD）
3.4.6表面氧化工艺
复习思考题
第4章厚膜工艺
4.1厚膜浆料
4.1.1厚膜浆料的特性和制备
4.1.2导体浆料
4.1.3电阻浆料
4.1.4介质浆料
4.1.5电感及铁氧体磁性浆料
4.2厚膜图案形成技术
4.2.1丝网印刷
4.2.2其他图案形成技术
4.3厚膜的干燥和烧成
4.3.1干燥
4.3.2烧成
复习思考题
参考文献
第5章陶瓷工艺
5.1概述
5.2粉体的表征
5.3粉体的混合与粉碎
5.4粉体的化学制备
5.5成型技术
5.5.1粘合剂
5.5.2造粒
5.5.3成型方法及工艺
5.6烧结原理和种类
5.6.1烧结过程
5.6.2烧结中的有关现象
5.6.3烧结过程控制
5.6.4烧结种类
复习思考题
参考文献
第6章导电材料和电阻材料
6.1导电材料的性质与分类
6.2金属导电材料
6.2.1金属导电材料的标准
6.2.2铜
6.2.3铜合金
6.2.4铝
6.3电极及电刷材料
6.3.1电容器电极材料
6.3.2引出线
6.3.3电刷与弹性材料
6.4厚膜导电材料
6.4.1厚膜导电材料的要求
6.4.2贵金属厚膜导电材料
6.4.3贱金属厚膜导电材料
6.4.4导电胶
6.5薄膜导电材料
6.5.1铝薄膜
6.5.2铬—金薄膜和镍铬—金薄膜
6.5.3钛—金薄膜
6.5.4多层导电薄膜
6.5.5透明导电薄膜
6.6电阻材料概述
6.6.1电阻材料的主要性能
6.6.2电阻材料的分类
6.7线绕电阻材料
6.7.1贱金属电阻合金线
6.7.2贵金属电阻合金线
6.8厚膜电阻材料
6.9薄膜电阻材料
6.10精密金属膜电阻材料
6.10.1镍铬合金系电阻薄膜
6.10.2铬—硅电阻薄膜
6.10.3钽基电阻薄膜
6.10.4金属—陶瓷电阻薄膜
复习思考题
参考文献
……
第7章超导材料
第8章半导体材料
第9章电介质材料
第10章磁性材料
第11章光电材料与热电材料
第12章敏感材料与吸波材料
第13章电子封装材料
文摘
版权页：
插图：
2.影响烧成的参数
厚膜元件的烧成包括升温、最高温度下保温、降温三个阶段，因此影响烧成的主要参数有最高烧结温度、保温时间、升降温度速率、烧结气氛和烧结次数等。
1）最高烧成温度
最高烧结温度对厚膜元件和结构的影响最大，这个温度的选择要保证厚膜能够完成应有的物理、化学变化，反应既要充分，又不能产生有害的作用，从而使厚膜元件的性能达到很好。最高烧结温度一般高于玻璃软化点100℃左右，以使玻璃料熔融后充分浸润固体颗粒，起到良好的粘结作用。
最高烧结温度过低，通常称为“生烧”。此时导电网络形成不良，方阻相当高，膜层结构不稳定，性能低劣。最高烧结温度过高，称为“过烧”。此时晶粒大小悬殊，膜层结构极不均匀，同时氧化物可能分解放出气体，使膜层凹凸不平。
2）保温时间
在最高烧结温度下恒温对膜层进行烧结的时间称为保温时间。保温时间的确定要保证使反应充分进行、膜层结构稳定、晶粒大小均匀等。对于含有玻璃料的厚膜，保温时间不宜过长，以免引起浆料中的玻璃相“上浮”到厚膜表面，从而降低膜层的可焊性和附着力。
3）升降温速率
升温速率主要影响预热阶段和玻璃软化前的各种反应。速率太快，膜中容易产生气孔，有机物也不能充分除去，影响烧结反应和元件性能的重现性，但升温速率太慢会影响生产周期。降温速率也不宜太快，否则会因应力而影响元件的稳定性。
4）烧结气氛
在烧结过程中，氧化物的生成或还原、通过气相的物质迁移和表面扩散等，都与烧结气氛有关，会对厚膜元件的性能产生影响。
| ISBN | 9787302306856 |
|---|---|
| 出版社 | 清华大学出版社 |
| 作者 | 李言荣 林媛 陶伯万 |
| 尺寸 | 16 |