编辑推荐
《纳米压印技术》可供微纳加工、电子器件、生物芯片等领域的科研人员及工程技术人员参考，也可作为高等院校相关专业研究生和高年级本科生的教材或参考书。
目录
《纳米压印技术》
序
前言
第1章绪论
1.1引言
1.2纳米压印技术
1.2.1纳米压印技术的发展
1.2.2纳米压印技术的分类
1.2.3纳米压印技术的研究内容
1.3纳米压印关键性技术
1.3.1模板
1.3.2压印胶
1.3.3压印过程缺陷
1.3.4对准套刻工艺
1.3.5三维结构压印
1.3.6刻蚀结构转移
1.4纳米压印技术的研究现状和趋势
1.4.1国内外文献分析
1.4.2国内外专利分析
1.4.3国外纳米压印设备介绍
1.5纳米压印技术的应用与前景
1.6本书的章节安排
参考文献
第2章模板制备
2.1概述
2.2制备模板的材料
2.3制备模板的方法
2.3.1电子束光刻
2.3.2离子束光刻
2.3.3极紫外光刻
2.3.4X射线光刻
2.3.5激光全息光刻
2.3.6单层纳米球刻印术
2.3.7边缘光刻
2.3.8化学气相沉积
2.3.9湿法刻蚀
2.3.10嵌段聚合物组装模板
2.3.11软模板复型
2.3.12氧化法制多孔氧化铝模板
2.3.13电铸法
2.3.14原子力显微镜刻蚀
2.4模板检测的方法
2.4.1扫描电子显微镜
2.4.2原子力显微镜
2.4.3小角度X射线散射
2.4.4光学显微镜
2.4.5模板结构的评价
2.5有关模板的关键性技术问题
2.6本章小结
参考文献
第3章纳米压印光刻胶
3.1概述
3.2光刻胶材料的选择标准
3.2.1成膜性能
3.2.2压印性能
3.2.3抗刻蚀性能
3.3不同种类压印光刻胶
3.3.1热压印光刻胶
3.3.2紫外压印光刻胶
3.3.3步进压印光刻胶
3.3.4滚动式压印光刻胶
3.3.5微接触印刷
3.4本章小结
参考文献
第4章纳米压印工艺
4.1概述
4.2模板处理
4.2.1黏附发生机理
4.2.2模板清洗
4.2.3模板修饰与表征
4.3涂胶
4.3.1转速对膜厚的影响
4.3.2旋涂时间对膜厚的影响
4.3.3聚合物黏度对膜厚的影响
4.4压印技术
4.4.1热压印
4.4.2紫外压印
4.4.3软刻蚀技术
4.4.4大面积纳米压印
4.4.5多层压印中的对准
4.5工艺发展
4.5.1快速热压印工艺
4.5.2紫外压印—光刻联合技术
4.5.3反向纳米压印技术
4.5.4三维纳米压印技术
4.5.5功能材料压印技术
4.6本章小结
参考文献
第5章刻蚀
5.1概述
5.2湿法刻蚀
5.3干法刻蚀
5.3.1离子束刻蚀
5.3.2等离子刻蚀
5.3.3反应离子刻蚀
5.3.4高密度等离子体刻蚀
5.4剥离技术
5.5纳米压印图形化后的干法刻蚀
5.6本章小结
参考文献
第6章纳米压印技术在发光二极管上的应用
6.1概述
6.2光子晶体在提升LED出光效率中的理论分析和结构设计
6.2.1有限时域差分法
6.2.2光子晶体在提升LED出光效率中的理论分析
6.2.3光子晶体结构在提升LED出光效率中的结构设计
6.3压印与LED工艺兼容性设计
6.3.1LED芯片制造工艺流程
6.3.2纳米压印工艺与LED兼容性方案
6.4纳米压印制作光子晶体LED
6.4.11TO光子晶体
6.4.2GaN光子晶体
6.4.3A1203光子晶体
6.4.4倒装结构
6.5LED芯片的封装与测试
6.5.1LED芯片封装技术
6.5.2LED性能参数
6.5.3压印制作p—GaN光子晶体LED的性能
6.6本章小结
参考文献
第7章纳米压印工艺在制作相变存储器件上的应用
7.1概述
7.2相变材料及阵列制备相关技术研究
7.2.1相变材料薄膜相结构转变特性研究
7.2.2相变材料薄膜黏附力特性研究
7.3相变材料薄膜上存储单元阵列制备技术研究
7.3.1微米级存储阵列
7.3.2纳米级存储阵列
7.4沉积法存储单元阵列制备技术研究
7.5纳米压印在其他存储器上的应用
7.6本章小结
参考文献
第8章纳米压印技术在其他领域的应用
8.1概述
8.2太阳能电池
8.2.1光子晶体提高光吸收
8.2.2纳米阵列提高界面比例和传输效率
8.2.3纳米结构的减反
8.3场效应晶体管
8.4光学元器件
8.5生物芯片
8.6仿生领域
8.7微型燃料电池
8.8本章小结
参考文献
文摘
版权页：
插图：
对于一个良好的刻蚀工艺来说，应具备以下基本特征：
（1）高刻蚀率。在可控制的范围内，保证流片量，满足生产需要。
（2）良好的特征尺寸以及侧壁形貌可控制性。保证刻蚀工艺的标准性。
（3）良好的刻蚀均匀性及可重复性。保证在同一基片的不同位置及大规模生产时基片与基片之间、批次与批次之间的刻蚀均匀性，以及工艺的稳定性。
（4）高选择比。被刻蚀的目标材料的刻蚀速率远大于抗蚀剂（光刻胶或衬底薄膜），以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩模的有效性，不致发生抗蚀剂过刻蚀而损伤其他材料，同时可以满足某些结构对高深宽比（aspectratio）的要求。
（5）在刻蚀过程中不会产生不挥发或是难以去除的刻蚀副产品或残留物，且整个刻蚀工艺对于操作者以及外部环境都是安全的。
（6）对衬底材料低损伤甚至无损伤。在刻蚀过程中不产生任何对衬底、薄膜以及器件的电损伤或等离子损伤。
（7）在刻蚀完成后，残余的光刻胶易于清除。
5.2湿法刻蚀
湿法刻蚀又叫做湿法腐蚀，是利用溶液与被刻蚀材料之间的化学反应来去除未被抗蚀剂遮掩的材料，从而达到有选择去除的目的，表现为各向同性刻蚀。湿法腐蚀的底切现象比较严重，对图形的控制性较差，不适用于具有较小特征尺寸的图形。湿法刻蚀具有很高的选择比，很少会发生衬底受损的情况，且具有重复性好、所需的装置简单、成本较低等优点。
《纳米压印技术》可供微纳加工、电子器件、生物芯片等领域的科研人员及工程技术人员参考，也可作为高等院校相关专业研究生和高年级本科生的教材或参考书。
目录
《纳米压印技术》
序
前言
第1章绪论
1.1引言
1.2纳米压印技术
1.2.1纳米压印技术的发展
1.2.2纳米压印技术的分类
1.2.3纳米压印技术的研究内容
1.3纳米压印关键性技术
1.3.1模板
1.3.2压印胶
1.3.3压印过程缺陷
1.3.4对准套刻工艺
1.3.5三维结构压印
1.3.6刻蚀结构转移
1.4纳米压印技术的研究现状和趋势
1.4.1国内外文献分析
1.4.2国内外专利分析
1.4.3国外纳米压印设备介绍
1.5纳米压印技术的应用与前景
1.6本书的章节安排
参考文献
第2章模板制备
2.1概述
2.2制备模板的材料
2.3制备模板的方法
2.3.1电子束光刻
2.3.2离子束光刻
2.3.3极紫外光刻
2.3.4X射线光刻
2.3.5激光全息光刻
2.3.6单层纳米球刻印术
2.3.7边缘光刻
2.3.8化学气相沉积
2.3.9湿法刻蚀
2.3.10嵌段聚合物组装模板
2.3.11软模板复型
2.3.12氧化法制多孔氧化铝模板
2.3.13电铸法
2.3.14原子力显微镜刻蚀
2.4模板检测的方法
2.4.1扫描电子显微镜
2.4.2原子力显微镜
2.4.3小角度X射线散射
2.4.4光学显微镜
2.4.5模板结构的评价
2.5有关模板的关键性技术问题
2.6本章小结
参考文献
第3章纳米压印光刻胶
3.1概述
3.2光刻胶材料的选择标准
3.2.1成膜性能
3.2.2压印性能
3.2.3抗刻蚀性能
3.3不同种类压印光刻胶
3.3.1热压印光刻胶
3.3.2紫外压印光刻胶
3.3.3步进压印光刻胶
3.3.4滚动式压印光刻胶
3.3.5微接触印刷
3.4本章小结
参考文献
第4章纳米压印工艺
4.1概述
4.2模板处理
4.2.1黏附发生机理
4.2.2模板清洗
4.2.3模板修饰与表征
4.3涂胶
4.3.1转速对膜厚的影响
4.3.2旋涂时间对膜厚的影响
4.3.3聚合物黏度对膜厚的影响
4.4压印技术
4.4.1热压印
4.4.2紫外压印
4.4.3软刻蚀技术
4.4.4大面积纳米压印
4.4.5多层压印中的对准
4.5工艺发展
4.5.1快速热压印工艺
4.5.2紫外压印—光刻联合技术
4.5.3反向纳米压印技术
4.5.4三维纳米压印技术
4.5.5功能材料压印技术
4.6本章小结
参考文献
第5章刻蚀
5.1概述
5.2湿法刻蚀
5.3干法刻蚀
5.3.1离子束刻蚀
5.3.2等离子刻蚀
5.3.3反应离子刻蚀
5.3.4高密度等离子体刻蚀
5.4剥离技术
5.5纳米压印图形化后的干法刻蚀
5.6本章小结
参考文献
第6章纳米压印技术在发光二极管上的应用
6.1概述
6.2光子晶体在提升LED出光效率中的理论分析和结构设计
6.2.1有限时域差分法
6.2.2光子晶体在提升LED出光效率中的理论分析
6.2.3光子晶体结构在提升LED出光效率中的结构设计
6.3压印与LED工艺兼容性设计
6.3.1LED芯片制造工艺流程
6.3.2纳米压印工艺与LED兼容性方案
6.4纳米压印制作光子晶体LED
6.4.11TO光子晶体
6.4.2GaN光子晶体
6.4.3A1203光子晶体
6.4.4倒装结构
6.5LED芯片的封装与测试
6.5.1LED芯片封装技术
6.5.2LED性能参数
6.5.3压印制作p—GaN光子晶体LED的性能
6.6本章小结
参考文献
第7章纳米压印工艺在制作相变存储器件上的应用
7.1概述
7.2相变材料及阵列制备相关技术研究
7.2.1相变材料薄膜相结构转变特性研究
7.2.2相变材料薄膜黏附力特性研究
7.3相变材料薄膜上存储单元阵列制备技术研究
7.3.1微米级存储阵列
7.3.2纳米级存储阵列
7.4沉积法存储单元阵列制备技术研究
7.5纳米压印在其他存储器上的应用
7.6本章小结
参考文献
第8章纳米压印技术在其他领域的应用
8.1概述
8.2太阳能电池
8.2.1光子晶体提高光吸收
8.2.2纳米阵列提高界面比例和传输效率
8.2.3纳米结构的减反
8.3场效应晶体管
8.4光学元器件
8.5生物芯片
8.6仿生领域
8.7微型燃料电池
8.8本章小结
参考文献
文摘
版权页：
插图：
对于一个良好的刻蚀工艺来说，应具备以下基本特征：
（1）高刻蚀率。在可控制的范围内，保证流片量，满足生产需要。
（2）良好的特征尺寸以及侧壁形貌可控制性。保证刻蚀工艺的标准性。
（3）良好的刻蚀均匀性及可重复性。保证在同一基片的不同位置及大规模生产时基片与基片之间、批次与批次之间的刻蚀均匀性，以及工艺的稳定性。
（4）高选择比。被刻蚀的目标材料的刻蚀速率远大于抗蚀剂（光刻胶或衬底薄膜），以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩模的有效性，不致发生抗蚀剂过刻蚀而损伤其他材料，同时可以满足某些结构对高深宽比（aspectratio）的要求。
（5）在刻蚀过程中不会产生不挥发或是难以去除的刻蚀副产品或残留物，且整个刻蚀工艺对于操作者以及外部环境都是安全的。
（6）对衬底材料低损伤甚至无损伤。在刻蚀过程中不产生任何对衬底、薄膜以及器件的电损伤或等离子损伤。
（7）在刻蚀完成后，残余的光刻胶易于清除。
5.2湿法刻蚀
湿法刻蚀又叫做湿法腐蚀，是利用溶液与被刻蚀材料之间的化学反应来去除未被抗蚀剂遮掩的材料，从而达到有选择去除的目的，表现为各向同性刻蚀。湿法腐蚀的底切现象比较严重，对图形的控制性较差，不适用于具有较小特征尺寸的图形。湿法刻蚀具有很高的选择比，很少会发生衬底受损的情况，且具有重复性好、所需的装置简单、成本较低等优点。
| ISBN | 9787030325594 |
|---|---|
| 出版社 | 科学出版社 |
| 作者 | 周伟民 |
| 尺寸 | 16 |