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《纳机电系统》由机械工业出版社出版。
作者简介
作者：（法国）劳伦·特拉夫格（Laurent Duraffourg） （法国）朱利安·阿尔卡莫内（Julien Arcamone） 译者：曹峥
目录
译者序
原书前言
物理常数
物理量
第1章从MEMS到NEMS 1
1.1微纳机电系统：概述1
1.2小结7
第2章纳米尺度上的转导与噪声的概念9
2.1机械传递函数9
2.2转导原理14
2.2.1纳米结构的驱动15
2.2.2检测21
2.3自激振荡与噪声34
2.4小结39
第3章NEMS与其读出电路的
单片集成41
3.1简介41
3.1.1为什么要将NEMS与其读出电路进行集成41
3.1.2 MEMS—CMOS与NEMS—CMOS之间的区别42
3.2单片集成的优势与主要途径43
3.2.1集成方案及其电气性能的比较43
3.2.2闭环NEMS—CMOS振荡器：构建基于NEMS的频率传感器的必不可少的组成模块46
3.2.3从制造技术的角度概述主要成就47
3.3从转导的角度对一些显著成就的分析51
3.3.1电容式NEMS—CMOS的案例51
3.3.2压阻式NEMS—CMOS的案例55
3.3.3替代途径58
3.4小结与未来展望59
第4章NEMS与尺度效应60
4.1简介60
4.1.1固有损耗64
4.1.2外部损耗65
4.2纳米结构中的近场效应：卡西米尔力69
4.2.1卡西米尔力的直观解释69
4.2.2问题70
4.2.3两个硅板之间卡西米尔力的严格计算72
4.2.4纳米加速度计内卡西米尔力的影响76
4.2.5本节小结79
4.3“固有”尺度效应的示例：电传导定律80
4.3.1电阻率80
4.3.2压阻效应85
4.4光机纳米振荡器和量子光机93
4.5小结101
第5章结论与应用前景：从基础物理到应用物理102
附录114
附录A针对纳米线的“自下而上”和“自上而下”制造工艺114
A.1“自下而上”制造114
A.2“自上而下”制造116
附录B卡西米尔力详述117
参考文献119
文摘
版权页：
插图：
MEMS与CMOS的单片集成成为技术、工业和商业现实已经有一段时间了（参见文献（BAL 05，BAL 14，FED 08）以获取更多信息）。MEMS—CMOS曾有过一个黄金时代，但现在的CMOS生产线的超规范化以及可递送合理价位电路的CMOS晶圆代工厂的存在，已经意味着它们几乎从工业界消失。鉴于CMOS和MEMS在同一生产线上共存，集成电路的制造商显得很沉默。事实上，这可能扰乱CMOS产率，降低生产速度，并得到总体上比单独生产更低的产率（单片MEMS—CMOS产率从定义上就更低，因为它是两者产率的乘积）。因此，看上去成本和产率的要求导致了“独立”方法的优越地位，也就是使用两个独立的芯片将MEMS和CMOS集成。话虽如此，但因为大部分惯性传感器是电容式的，所以对于互连导致的寄生耦合和衰减非常敏感，其在微型化上的竞争可能很快改变事态。微型化必然减少电容耦合区域，从而减少有用的信号和所得到的SNR。在保持其基本性能的同时减小元器件的尺寸将责成制造商重新考虑与MEMS的集成相关的特定范式。
《纳机电系统》由机械工业出版社出版。
作者简介
作者：（法国）劳伦·特拉夫格（Laurent Duraffourg） （法国）朱利安·阿尔卡莫内（Julien Arcamone） 译者：曹峥
目录
译者序
原书前言
物理常数
物理量
第1章从MEMS到NEMS 1
1.1微纳机电系统：概述1
1.2小结7
第2章纳米尺度上的转导与噪声的概念9
2.1机械传递函数9
2.2转导原理14
2.2.1纳米结构的驱动15
2.2.2检测21
2.3自激振荡与噪声34
2.4小结39
第3章NEMS与其读出电路的
单片集成41
3.1简介41
3.1.1为什么要将NEMS与其读出电路进行集成41
3.1.2 MEMS—CMOS与NEMS—CMOS之间的区别42
3.2单片集成的优势与主要途径43
3.2.1集成方案及其电气性能的比较43
3.2.2闭环NEMS—CMOS振荡器：构建基于NEMS的频率传感器的必不可少的组成模块46
3.2.3从制造技术的角度概述主要成就47
3.3从转导的角度对一些显著成就的分析51
3.3.1电容式NEMS—CMOS的案例51
3.3.2压阻式NEMS—CMOS的案例55
3.3.3替代途径58
3.4小结与未来展望59
第4章NEMS与尺度效应60
4.1简介60
4.1.1固有损耗64
4.1.2外部损耗65
4.2纳米结构中的近场效应：卡西米尔力69
4.2.1卡西米尔力的直观解释69
4.2.2问题70
4.2.3两个硅板之间卡西米尔力的严格计算72
4.2.4纳米加速度计内卡西米尔力的影响76
4.2.5本节小结79
4.3“固有”尺度效应的示例：电传导定律80
4.3.1电阻率80
4.3.2压阻效应85
4.4光机纳米振荡器和量子光机93
4.5小结101
第5章结论与应用前景：从基础物理到应用物理102
附录114
附录A针对纳米线的“自下而上”和“自上而下”制造工艺114
A.1“自下而上”制造114
A.2“自上而下”制造116
附录B卡西米尔力详述117
参考文献119
文摘
版权页：
插图：
MEMS与CMOS的单片集成成为技术、工业和商业现实已经有一段时间了（参见文献（BAL 05，BAL 14，FED 08）以获取更多信息）。MEMS—CMOS曾有过一个黄金时代，但现在的CMOS生产线的超规范化以及可递送合理价位电路的CMOS晶圆代工厂的存在，已经意味着它们几乎从工业界消失。鉴于CMOS和MEMS在同一生产线上共存，集成电路的制造商显得很沉默。事实上，这可能扰乱CMOS产率，降低生产速度，并得到总体上比单独生产更低的产率（单片MEMS—CMOS产率从定义上就更低，因为它是两者产率的乘积）。因此，看上去成本和产率的要求导致了“独立”方法的优越地位，也就是使用两个独立的芯片将MEMS和CMOS集成。话虽如此，但因为大部分惯性传感器是电容式的，所以对于互连导致的寄生耦合和衰减非常敏感，其在微型化上的竞争可能很快改变事态。微型化必然减少电容耦合区域，从而减少有用的信号和所得到的SNR。在保持其基本性能的同时减小元器件的尺寸将责成制造商重新考虑与MEMS的集成相关的特定范式。
| ISBN | 7111591275,9787111591276 |
|---|---|
| 出版社 | 机械工业出版社 |
| 作者 | 劳伦·特拉夫格 (Laurent Duraffourg) |
| 尺寸 | 16 |